ഇൻസുലേഷൻ മെറ്റീരിയൽ ഫോർമുലയും ഉൽപാദന പ്രക്രിയയും

A. കുറഞ്ഞ വോൾട്ടേജ് ഇൻസുലേഷൻ മെറ്റീരിയൽ
1.1 ഫോർമുല
എപ്പോക്സി റെസിൻ ഇ -44 100
ഡിലുവന്റ് ഡിബ്രോമോഫെനൈൽ ഗ്ലൈസിഡൈൽ ഈതർ 20
ഫ്ലേം റിട്ടാർഡന്റ് ആന്റിമണി ട്രൈഓക്സൈഡ് 10
സജീവ സിലിക്ക പൊടി 400 മെഷ് 200
ക്യൂറിംഗ് ഏജന്റ് 593 25
ഡൈതൈലെനെട്രിയാമൈൻ 3
1.2 ഉൽ‌പാദന പ്രക്രിയ
1.2.1 0.2 ശതമാനത്തിൽ താഴെയുള്ള ഈർപ്പം വരണ്ട സിലിക്കൺ പൊടി
1.2.2 ഇനിപ്പറയുന്ന ക്രമത്തിൽ റിയാക്ടറിലേക്ക് എപോക്സി റെസിൻ, നേർത്ത, ഫ്ലേം റിഡാർഡന്റ്, സിലിക്കൺ പൊടി എന്നിവ ചേർക്കുക
1.2.3 താപനില 100 to ലേക്ക് ഉയർത്തുക, -0.1Mpa വാക്വം പ്രകാരമുള്ള മിശ്രിതം 30 മിനിറ്റിന് ഏകതാനമായി കുറയ്ക്കുക
1.2.4 50 ഡിഗ്രി സെൽഷ്യസിനു താഴെയായി തണുക്കുക, ക്യൂറിംഗ് ഏജന്റ് ചേർക്കുക, താപനില 50 ഡിഗ്രി സെൽഷ്യസിൽ കൂടരുത്, ഡിഗ്രാസ് വാക്വം ഡിഗ്രി -0.1 എംപിഎ, സമയം 30 മിനിറ്റിൽ കൂടരുത്, തുടർന്ന് കാസ്റ്റിംഗ് പ്രക്രിയയിൽ പ്രവേശിക്കുക.


 
B. ഉയർന്ന വോൾട്ടേജും കുറഞ്ഞ വോൾട്ടേജ് ഇൻസുലേഷൻ വസ്തുക്കളും
2.1 ഫോർമുലേഷൻ
എപ്പോക്സി റെസിൻ ഇ -44 100
ഡിലുവന്റ് ഡിബ്രോമോഫെനൈൽ ഗ്ലൈസിഡൈൽ ഈതർ 20
ഫ്ലേം റിട്ടാർഡന്റ് ആന്റിമണി ട്രൈഓക്സൈഡ് 10
സജീവ സിലിക്ക പൊടി 400 മെഷ് 300
ക്യൂറിംഗ് ഏജന്റ് എസ് 101 95
ആക്സിലറേറ്റർ DMP-30 1.5
2.2 ഉൽപാദന പ്രക്രിയ
2.2.1 0.2 ശതമാനത്തിൽ താഴെയുള്ള ഈർപ്പം വരണ്ട സിലിക്കൺ പൊടി
2.2.2 ഇനിപ്പറയുന്ന ക്രമത്തിൽ രണ്ട് ഘടകങ്ങൾ നിർമ്മിക്കുക
ഒരു ഘടകം എപോക്സി റെസിൻ, ആക്സിലറേറ്റർ, ഫ്ലേം റിട്ടാർഡന്റ്, സിലിക്കൺ പൊടി 200
ബി ഘടകം ക്യൂറിംഗ് ഏജന്റ്, നേർത്ത, സിലിക്കൺ പൊടി 100
2.2.3 ഒരു ഘടകം 80-100 to വരെ ചൂടാക്കപ്പെടുന്നു, മിശ്രിതം -0.1Mpa വാക്വം പ്രകാരം 30 മിനിറ്റ് മുതൽ ഏകത വരെ കുറയുന്നു
2.2.4 ഘടകം ബി യുടെ താപനില 50 to ആയി ഉയർത്തുന്നു, മിശ്രിതം -0.1Mpa വാക്വം പ്രകാരം 30 മിനിറ്റ് മുതൽ ഏകത വരെ കുറയുന്നു
2.2.5 50 below യിൽ താഴെയായി തണുക്കുക, ഘടകം ബിയിലേക്ക് ഘടകം ചേർക്കുക, താപനില 50 than ൽ കൂടരുത്, ഡിഗ്രാസ് വാക്വം ഡിഗ്രി -0.1 എം‌പി‌എ, മിക്സിംഗ് സമയം 30 മി.