יי נידעריק וואָולטידזש ינסאַליישאַן מאַטעריאַל
1.1 פאָרמולע
יפּאַקסי סמאָלע E-44 100
דילוענט דיבראָמאָפעניל גלייסידיל יטער 20
פלאַם ריטאַרדאַנט אַנטימאָני טריאָקסידע 10
אַקטיוו סילאַקאַ פּודער 400 ייגל 200
קיורינג אַגענט 593 25
3. דיעטהילענעטריאַמינע 3
1.2 פּראָדוקציע פּראָצעס
1.2.1 טרוקן סיליציום פּודער צו די נעץ צופרידן ונטער 0.2%
1.2.2 לייג יפּאַקסי סמאָלע, טינער, פלאַם ריטאַרדאַנט און סיליציום פּודער צו די רעאַקטאָר אין די פאלגענדע סדר
1.2.3 רייזינג די טעמפּעראַטור צו 100 ° C, דימאַסאַז די געמיש אונטער -0.1 מפּאַ וואַקוום פֿאַר 30 מין צו יונאַפאָרמאַטי
1.2.4 קאָאָל צו ונטער 50 ° C, לייגן קיורינג אַגענט, האַלטן די טעמפּעראַטור ניט מער ווי 50 ° C, דעגאַס וואַקוום גראַד -0.1 מפּאַ, מיקסינג צייַט ניט מער ווי 30 מין, און אַרייַן די קאַסטינג פּראָצעס.
בי הויך וואָולטידזש און נידעריק וואָולטידזש ינסאַליישאַן מאַטעריאַלס
2.1 פאָרמולאַטיאָן
יפּאַקסי סמאָלע E-44 100
דילוענט דיבראָמאָפעניל גלייסידיל יטער 20
פלאַם ריטאַרדאַנט אַנטימאָני טריאָקסידע 10
אַקטיוו סילאַקאַ פּודער 400 ייגל 300
קיורינג אַגענט ס 101 95
אַקסעלעראַטאָר דמפּ -30 1.5
2.2 פּראָדוקציע פּראָצעס
2.2.1 טרוקן סיליציום פּודער צו די נעץ צופרידן ונטער 0.2%
2.2.2 מאַכן אַ צוויי-קאָמפּאָנענט אין די פאלגענדע סדר
קאָמפּאָנענט יפּאַקסי סמאָלע, אַקסעלעראַטאָר, פלאַם ריטאַרדאַנט, סיליציום פּודער 200
קיורינג אַגענט ב קאָמפּאָנענט, טינער, סיליציום פּודער 100
2.2.3 די A קאָמפּאָנענט איז העאַטעד צו 80-100 ℃, און דער געמיש איז דעגאַסידעד אונטער -0.1 מפּאַ וואַקוום פֿאַר 30 מין צו יונאַפאָרמאַטי.
2.2.4 די טעמפּעראַטור פון קאָמפּאָנענט ב איז רייזינג צו 50 ° C און דער געמיש איז דעגאַסידעד אונטער -0.1 מפּאַ וואַקוום פֿאַר 30 מין צו יונאַפאָרמאַטי.
2.2.5 קיל צו ווייטער 50 ℃, לייגן קאָמפּאָנענט א צו קאָמפּאָנענט ב, האַלטן די טעמפּעראַטור נישט מער ווי 50 ℃, דעגאַס וואַקוום גראַד -0.1 מפּאַ, מיקסינג צייַט 30 מין, איר קענען אַרייַן פּאָרינג.
